معرفی حافظه فلش سریعترین حافظه جهان با سرعت ۴۰۰ پیکوثانیه, تیم پژوهشی دانشگاه فودان در شانگهای موفق به توسعه نوعی حافظه غیرفرار فوقسریع شدهاند که عملیات خواندن و نوشتن داده را در مقیاس پیکوثانیه انجام میدهد. این پیشرفت میتواند معماریهای محاسبه آینده را متحول سازد. حافظه پیکوثانیه چیست و چرا مهم است؟ حافظههای سطح پیکوثانیه توانایی پردازش داده در کمتر از یکهزارم نانوثانیه (یک تریلیونم ثانیه) را دارند.
تراشه جدید با نام (مخفف ) توانایی تغییر حالت در تنها ۴۰۰ پیکوثانیه را ثبت کرده که رکورد بیسابقهای در سرعت است و بسیار فراتر از محدودیت دو میلیون عملیات در ثانیه در تکنولوژیهای پیشین قرار دارد. مقایسه با حافظههای سنتی SRAM، DRAM و فلش حافظههای موقت رایج مانند SRAM و DRAM در بازه ۱ تا ۱۰ نانوثانیه داده مینویسند، اما با قطع برق تمام اطلاعات از بین میروند.
سور ژو پنگ و تیم او در دانشگاه فودان، معماری فلش را از پایه بازطراحی کردهاند.
به جای سیلیکون سنتی، از گرافن دوبعدی دیراک با تحرک بار الکتریکی بسیار بالا استفاده شده است. با تنظیم دقیق طول کانال حافظه، پدیدهای به نام سوپر-تزریق دوبعدی ایجاد شده که جریان شارژ فوقسریع و تقریباً نامحدود به لایه ذخیرهسازی را ممکن میسازد و محدودیتهای سرعت حافظههای رایج را از بین میبرد.
رفع گلوگاه انرژی در سختافزار هوش مصنوعی حافظه با ترکیب سرعت پیکوثانیه و مصرف انرژی فوقالعاده پایین، میتواند گلوگاه مزمن انتقال داده در سختافزارهای AI را برطرف کند؛ جایی که بخش اعظم انرژی صرف جابهجایی داده میشود، نه پردازش آن. مسیر تجاریسازی و کاربردهای آینده پروفسور ژو در گفتوگو با خبرگزاری شینهوا اعلام کرد که با بهینهسازی شرایط تست از طریق الگوریتمهای هوش مصنوعی، مسیر بهرهبرداری عملی تسهیل شده است.
تیم تحقیقاتی در همکاری با شرکای صنعتی در حال پیشبرد تجاریسازی هستند و تأییدیه اولیه طراحی تراشه انجام شده است. لیو چونسن، پژوهشگر ارشد آزمایشگاه تراشههای مجتمع دانشگاه فودان بیان داشت ما تراشهای کوچک و کاملاً عملیاتی ساختهایم.
گام بعدی ادغام این تکنولوژی در تلفنهای هوشمند و کامپیوترها است تا مدلهای هوش مصنوعی محلی بدون مشکلات کندی و داغ شدن اجرا گردند.